北海道大学 / 東北大学 / 東京科学大学 / 大阪大学 / 九州大学の共同研究ネットワーク
English
アライアンス
共同研究拠点
HOME
公募情報
公募課題
手続き（申請～採択後）
公募Q&A
機器 / 研究領域 紹介
電子申請
物質・デバイス領域共同研究拠点(NJRC)とは
事業本部長挨拶
事業概要
「物質・デバイス領域共同研究拠点」規程一覧表
「物質・デバイス領域共同研究拠点」研究領域部会別内規一覧
拠点間の緩やかな連携について
活動・研究成果
データで見る活動成果
インタビュー
COREラボインタビュー（第2期）vol.01
COREラボインタビュー（第2期）vol.02
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.01
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.02
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.03
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.04
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.05
採択課題一覧
研究成果報告書
2023年度
2022年度
その他問い合わせ
HP掲載申請について
お問い合わせフォーム
各領域の連絡先
成果報告書
研究成果 [リサーチハイライト]
物質・デバイス共同研究賞
第6回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第5回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第4回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第3回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第2回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第1回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
研究者DB
アライアンス
English
検索
The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN
