北海道大学 / 東北大学 / 東京工業大学 / 大阪大学 / 九州大学の共同研究ネットワーク
English
アライアンス
共同研究拠点
HOME
公募情報
公募課題
手続き（申請～採択後）
公募Q&A
機器 / 研究領域 紹介
電子申請
物質・デバイス領域共同研究拠点(NJRC)とは
事業本部長挨拶
事業概要
「物質・デバイス領域共同研究拠点」規程一覧表
「物質・デバイス領域共同研究拠点」研究領域部会別内規一覧
拠点間の緩やかな連携について
活動・研究成果
データで見る活動成果
インタビュー
COREラボインタビュー（第2期）vol.01
COREラボインタビュー（第2期）vol.02
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.01
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.02
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.03
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.04
未来を拓く若手研究者インタビュー（第2期）vol.05
採択課題一覧
研究成果報告書
その他問い合わせ
HP掲載申請について
お問い合わせフォーム
各領域の連絡先
産学連携のためのワンストップ窓口
成果報告書
研究成果 [リサーチハイライト]
物質・デバイス共同研究賞
第5回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第4回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第3回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第2回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
第1回物質・デバイス共同研究賞 受賞者一覧
研究者DB
アライアンス
English
検索
Improved minority carrier lifetime in p-type GaN segments prepared by vacancy-guided redistribution of Mg
